| 專利名稱: | 接觸式曝光與電子束直寫技術(shù)相結(jié)合的混合曝光方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 01118807.3 |
| 申請(qǐng)日期: | 2001-06-14 |
| 專利號(hào): | CN1392593 |
| 第一發(fā)明人: | 鄭英奎 和致經(jīng) 吳德馨 劉明 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 一種接觸式曝光與電子束直寫技術(shù)相結(jié)合的混合曝光方法，包括：1：光刻小源漏版，用電子束直寫曝光，完成源漏與有源區(qū)的歐姆接觸部分和檢測(cè)隔離島腐蝕狀況的方塊金屬；2：光刻島版，腐蝕出有源區(qū)；3：光刻大源漏柵版，并使形成的大源漏與小源漏搭接在一起，形成完整的源漏金屬區(qū)，同時(shí)形成大面積的柵金屬區(qū)；4：光刻?hào)虐?，通過(guò)電子束曝光形成精細(xì)的柵條，并與步驟3形成的大面積的柵金屬搭接形成完整的柵區(qū)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出