專(zhuān)利名稱(chēng): | 雙擺幅式電荷恢復(fù)低功耗電路結(jié)構(gòu) |
專(zhuān)利類(lèi)別: | |
申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 01120679.9 |
申請(qǐng)日期: | 2001-07-26 |
專(zhuān)利號(hào): | CN1399326 |
第一發(fā)明人: | 李曉民 羅家俊 仇玉林 陳潮樞 |
其它發(fā)明人: | |
國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
專(zhuān)利授權(quán)日期: | |
繳費(fèi)情況: | |
實(shí)施情況: | |
專(zhuān)利證書(shū)號(hào): | |
專(zhuān)利摘要: | 一種雙擺幅式電荷恢復(fù)低功耗電路結(jié)構(gòu),包括:第一PMOS管,源極和襯底接在高幅值的脈沖電源,門(mén)極和漏極接在A結(jié)點(diǎn)和B結(jié)點(diǎn);第二PMOS管,源極和襯底都接在高幅值的脈沖電源上,門(mén)極和漏極接在B結(jié)點(diǎn)和A結(jié)點(diǎn);第一NMOS管,漏極接在B結(jié)點(diǎn),源極接地,門(mén)極接輸入信號(hào);第二NMOS管,漏極接在A結(jié)點(diǎn),源極接地,門(mén)極接另一輸入信號(hào);第三NMOS管,其漏極接在輸出結(jié)點(diǎn)C,源極接低擺幅的脈沖電源,門(mén)極接B結(jié)點(diǎn);第四NMOS管,漏極接在輸出結(jié)點(diǎn)D,源極接低擺幅的脈沖電源,門(mén)極接在A結(jié)點(diǎn);第五NMOS管,漏極接在輸出結(jié)點(diǎn)C,源極接地,門(mén)極接A結(jié)點(diǎn);第六NMOS管,漏極接在輸出結(jié)點(diǎn)D,源極接地,門(mén)極接A結(jié)點(diǎn);所有的NMOS管的襯底均接地。 |
其它備注: | |
科研產(chǎn)出