專利名稱: | 自舉式-互補傳輸門電荷恢復(fù)低功耗電路結(jié)構(gòu) |
專利類別: | |
申請?zhí)?/strong>: | 01120680.2 |
申請日期: | 2001-07-26 |
專利號: | CN1399407 |
第一發(fā)明人: | 李曉民 羅家俊 仇玉林 陳潮樞 |
其它發(fā)明人: | |
國外申請日期: | |
國外申請方式: | |
專利授權(quán)日期: | |
繳費情況: | |
實施情況: | |
專利證書號: | |
專利摘要: | 一種自舉式—互補傳輸門電荷恢復(fù)低功耗電路結(jié)構(gòu),包括:第一、第二PMOS管源極和襯底接脈沖電源,門極和漏極接A1結(jié)點和B1結(jié)點;第一、第二NMOS管漏極接B1結(jié)點,源極接地門極接輸入信號;第三NMOS管源極接B1結(jié)點,門極接脈沖電源,漏極接B2結(jié)點;第三PMOS管源極接B1結(jié)點,門極接反相脈沖電源,漏極接B2結(jié)點,襯底接直流電壓;第四NMOS管源極接A1結(jié)點,門極接脈沖電源,漏極接A2結(jié)點;第四PMOS管源極接A1結(jié)點,門極接反相脈沖電源,漏極接A2結(jié)點,襯底接直流電壓;第五NMOS管源極接脈沖電源,門極接B2結(jié)點,漏極接輸出結(jié)點C;第六NMOS管源極接脈沖電源,門極接A2結(jié)點,漏極接輸出結(jié)點D;所述的NMOS管的襯底均接地。 |
其它備注: | |
科研產(chǎn)出