| 專利名稱: | 降低易碎基片接觸曝光碎片率的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 02120101.3 |
| 申請日期: | 2002-05-17 |
| 專利號: | CN1459668 |
| 第一發(fā)明人: | 張海英 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 一種降低易碎基片接觸曝光碎片率的方法，包括如下步驟：1)取所需要的光刻版，清洗光刻版，并吹干待用；2)制作襯墊層，襯墊層平整地鋪在真空吸頭上；3)將光刻版裝在版架上；4)將已涂好膠、待曝光的基片放置在襯墊層上，在顯微鏡下進行初步定位后，開真空開關(guān)，吸片；5)調(diào)整待曝光的基片與光刻版的相對位置，進行精對準；6)提高待曝光的基片的高度，使之與光刻版剛好壓緊；7)按照需要的劑量進行曝光；8)降低基片高度，關(guān)閉吸氣真空開關(guān)，取下基片，結(jié)束。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出