| 專利名稱: | 在碳化硅基襯底上獲得高速電學(xué)材料結(jié)構(gòu)的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 02119900.0 |
| 申請日期: | 2002-05-17 |
| 專利號: | CN1459822 |
| 第一發(fā)明人: | 張海英 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明一種在碳化硅基襯底上獲得高速電學(xué)材料結(jié)構(gòu)的方法，包括如下步驟：1)取表面生長有碳化硅單晶層的硅材料或碳化硅單晶材料，進(jìn)行清洗處理，作為高速器件結(jié)構(gòu)的外延的襯底；2)在碳化硅單晶外延層上生長晶格漸變過渡層；3)進(jìn)行電學(xué)結(jié)構(gòu)生長；4)利用獲得的材料制作器件或電路；5)器件或電路正面工藝結(jié)束后，將背面的硅去掉，以保證器件的良好散熱性能。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出