| 專利名稱: | 嵌入式快閃存儲器中隧穿氧化層的制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 02120379.2 |
| 申請日期: | 2002-05-24 |
| 專利號: | CN1459833 |
| 第一發(fā)明人: | 歐文 錢鶴 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利授權日期: | |
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| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明一種嵌入式快閃存儲器中隧穿氧化層的制備方法，該方法包括如下步驟，1)首先對要生長隧穿氧化層的硅片進行清洗；2)然后利用干法刻蝕機，在干法刻蝕機上進行氟化處理；3)處理完后，對硅片先進行常規(guī)的清洗，然后再在異丙醇清洗液中清洗1分鐘；4)把硅片送入高溫氧化爐處理，這樣具有低的隧穿勢壘的隧穿氧化層就制備完成了。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出