| 專利名稱: | 高性能雙極結(jié)型光柵晶體管及其制造方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 02120354.7 |
| 申請(qǐng)日期: | 2002-05-23 |
| 專利號(hào): | CN1459874 |
| 第一發(fā)明人: | 金湘亮 陳杰 仇玉林 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請(qǐng)日期: | |
| 國外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明一種高性能雙極結(jié)型光柵晶體管，該種結(jié)構(gòu)可在p型或n型硅片上實(shí)現(xiàn)，制作在p型硅片引入p+n注入結(jié)將信號(hào)讀出的器件結(jié)構(gòu)，其中包括：一p型硅片；一層二氧化硅，外延生長(zhǎng)在p型硅片上；一金屬層制作在二氧化硅上；在MOS電容一旁的硅片上引入p+n注入結(jié)；入射光通過柵極到達(dá)硅片與二氧化硅接觸面轉(zhuǎn)化為信號(hào)電荷存儲(chǔ)在勢(shì)阱中，勢(shì)阱中產(chǎn)生的信號(hào)電荷一方面在外加電場(chǎng)作用下漂移讀出，同時(shí)引入注入結(jié)注入極性相反的電荷與信號(hào)電荷形成復(fù)合電流將信號(hào)電荷讀出。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出