| 專利名稱: | 砷化鎵基復(fù)合收集區(qū)彈道傳輸異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 02124452.9 |
| 申請(qǐng)日期: | 2002-06-26 |
| 專利號(hào): | CN1464564 |
| 第一發(fā)明人: | 石瑞英 劉訓(xùn)春 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書(shū)號(hào): | |
| 專利摘要: | 一種砷化鎵基復(fù)合收集區(qū)彈道傳輸異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，具有多重收集區(qū)結(jié)構(gòu)，器件結(jié)構(gòu)包括：一半絕緣砷化鎵襯底；一N+摻雜的砷化鎵子收集區(qū)，該N+摻雜的砷化鎵子收集區(qū)生長(zhǎng)在半絕緣砷化鎵襯底上；一復(fù)合收集區(qū)，該復(fù)合收集區(qū)生長(zhǎng)在N+摻雜的砷化鎵子收集區(qū)上；一很重?fù)诫s的P型砷化鎵基區(qū)，該很重?fù)诫s的P型砷化鎵基區(qū)生長(zhǎng)在復(fù)合收集區(qū)上；在基區(qū)上形成有一N型銦鎵磷發(fā)射區(qū)，最上面是為制作歐姆接觸用的帽層，在帽層上形成發(fā)射極，在基區(qū)上、N型銦鎵磷發(fā)射區(qū)的兩側(cè)形成有基極。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出