| 專利名稱: | 制備深亞微米柵的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 02126923.8 |
| 申請日期: | 2002-07-26 |
| 專利號: | CN1471135 |
| 第一發(fā)明人: | 劉訓(xùn)春 李無暇 王潤海 羅明雄 石華芬 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 一種制備深亞微米柵的方法，其步驟為：1)在基片上淀積氮化硅和二氧化硅復(fù)合膜；光刻生成膠膜圖形，使其一邊位于器件源漏中間；腐蝕二氧化硅的暴露部分并使形成側(cè)蝕；2)蒸發(fā)金屬；通過剝離工藝，去除膠上的金屬；3)采用等離子體刻蝕，利用金屬對等離子體刻蝕的掩蔽作用以及二氧化硅刻蝕速率比氮化硅刻蝕速率慢的原理，在金屬邊沿與二氧化硅接壤的縫隙中刻蝕氮化硅，形成具有深亞微米線寬尺度的窗口圖形；4)采用光刻工藝，在位于上述器件源漏之間的具有深亞微米線寬尺度的窗口上套刻形成一較寬的上小下大的柵窗口膠圖形；5)經(jīng)柵槽腐蝕后，蒸發(fā)柵金屬；6)剝離后形成柵極，還可根據(jù)需要，保留或去除柵下面的氮化硅。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出