| 專利名稱: | 凹槽平面雙柵結(jié)構(gòu)MOS器件及制造方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 02142108.0 |
| 申請(qǐng)日期: | 2002-08-26 |
| 專利號(hào): | CN1479355 |
| 第一發(fā)明人: | 卓銘 徐秋霞 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請(qǐng)日期: | |
| 國外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明一種凹槽平面雙柵結(jié)構(gòu)MOS器件及制造方法，該器件包括：一襯底；一氧化硅層，該氧化硅層淀積在襯底上，使得整個(gè)器件與襯底相隔離；兩個(gè)柵電極形成在氧化硅層，該兩個(gè)柵電極之間形成有一溝道；源電極、漏電極形成在上面的一柵電極兩側(cè)，并且高出溝道的表面。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出