| 專利名稱: | 低功耗相關(guān)雙取樣電路結(jié)構(gòu) |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 02143299.6 |
| 申請(qǐng)日期: | 2002-09-25 |
| 專利號(hào): | CN1485898 |
| 第一發(fā)明人: | 金湘亮 陳杰 仇玉林 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明一種低功耗相關(guān)雙取樣電路結(jié)構(gòu)，包括：兩個(gè)取樣開關(guān)用P型MOS管，其源極接信號(hào)輸入端，該一開關(guān)管的柵極接置位開關(guān)信號(hào)，另一開關(guān)管的柵極接取樣開關(guān)信號(hào)；兩個(gè)電容用N型MOS管，其柵極分別接另兩開關(guān)用管的漏極；一個(gè)復(fù)位開關(guān)用N型MOS管，其柵極接復(fù)位信號(hào)，漏極接一開關(guān)管的漏極，源極接另一開關(guān)管的漏極；一個(gè)差分放大對(duì)管，其柵極分別接另兩開關(guān)管的漏極，一N型MOS管構(gòu)的源極接輸出信號(hào)端，另一N型MOS管的源極接等效電流源，漏極接輸出信號(hào)端；當(dāng)像素置位和復(fù)位讀取信號(hào)時(shí)，兩次取樣信號(hào)分別儲(chǔ)存在電容用N型MOS管內(nèi)，利用電容上信號(hào)不能突變的原理，通過(guò)差分放大對(duì)管完成差分處理輸出有用信號(hào)，至此完成相關(guān)雙取樣過(guò)程。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出