| 專利名稱: | 高速低功耗動(dòng)態(tài)無比移位寄存器結(jié)構(gòu) |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 02154591.X |
| 申請(qǐng)日期: | 2002-12-10 |
| 專利號(hào): | CN1506978 |
| 第一發(fā)明人: | 金湘亮 陳杰 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請(qǐng)日期: | |
| 國外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明一種高速低功耗動(dòng)態(tài)無比移位寄存器結(jié)構(gòu)，包括：一個(gè)位選通開關(guān)用N型MOS晶體管，其柵極接第一不重疊時(shí)鐘信號(hào)，襯底接地，漏極接輸入觸發(fā)信號(hào)；一個(gè)電容，接位選通開關(guān)用N型MOS晶體管的源極，另一端接地；兩個(gè)反相對(duì)管，反相對(duì)管由一個(gè)N型MOS晶體管和一個(gè)P型MOS晶體管構(gòu)成，該反相對(duì)管的柵極相連接并接至電容的一端，反相對(duì)管的N型MOS晶體管的源極與P型MOS晶體管的漏極相連接，N型MOS晶體管的襯底接地，P型MOS晶體管的襯底接電源；另一反相對(duì)管中的P型MOS晶體管的襯底接輸入觸發(fā)信號(hào)；另一反相對(duì)管的柵極接前一反相對(duì)管的N型MOS晶體管的源極和P型MOS晶體管的漏極。具有速度快、芯片面積小的優(yōu)點(diǎn)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出