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專(zhuān)利名稱(chēng): 低噪聲雙極結(jié)型光敏場(chǎng)效應(yīng)晶體管及制作方法
專(zhuān)利類(lèi)別:
申請(qǐng)?zhí)?/strong>: 03123140.3
申請(qǐng)日期: 2003-04-17
專(zhuān)利號(hào): CN1538532
第一發(fā)明人: 金湘亮 陳杰
其它發(fā)明人:
國(guó)外申請(qǐng)日期:
國(guó)外申請(qǐng)方式:
專(zhuān)利授權(quán)日期:
繳費(fèi)情況:
實(shí)施情況:
專(zhuān)利證書(shū)號(hào):
專(zhuān)利摘要: 本發(fā)明一種低噪聲雙極結(jié)型光敏場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括：一N-型的半導(dǎo)體硅基襯底；一導(dǎo)電溝道為P型導(dǎo)電溝道，該P(yáng)型導(dǎo)電溝道制作在N-型的半導(dǎo)體硅基襯底上；一注入多數(shù)電子的N+區(qū)，該注入多數(shù)電子的N+區(qū)制作在P型導(dǎo)電溝道的一側(cè)；一注入多數(shù)電子的N+區(qū)構(gòu)成光電二極管，該注入多數(shù)電子的N+區(qū)構(gòu)成光電二極管制作在導(dǎo)電溝道為P型導(dǎo)電溝道的中間；一注入多數(shù)空穴的P+區(qū)，該為注入多數(shù)空穴的P+區(qū)制作在導(dǎo)電溝道為P型導(dǎo)電溝道的另一側(cè)。
其它備注: