| 專利名稱: | 可獲得納米T型柵的高電子遷移率晶體管的制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 03140921.0 |
| 申請日期: | 2003-06-05 |
| 專利號: | CN1553487 |
| 第一發(fā)明人: | 謝常青 葉甜春 陳大鵬 李 兵 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 一種可獲得納米T型柵的高電子遷移率晶體管的制作工藝，其工藝 步驟如下：1.在砷化鎵異質(zhì)結(jié)等芯片上光刻有源區(qū)圖形；2.離子注 入或濕法腐蝕制作臺面；3.淀積絕緣層；4.光刻柵圖形；5.各向 異性刻蝕絕緣層；6.各向同性刻蝕絕緣層；7.涂底層光刻膠；8. 減薄底層光刻膠；9.10. 去除絕緣層圖形；11.腐蝕窗口中柵槽下面的N+區(qū)；12.蒸發(fā)、剝 離柵金屬；13.鈍化并開連線窗口，完成器件制作。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出