| 專利名稱: | X射線光刻對準標記圖形 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 03148990.7 |
| 申請日期: | 2003-07-03 |
| 專利號: | CN1567096 |
| 第一發(fā)明人: | 謝常青 葉甜春 陳大鵬 李兵 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權日期: | |
| 繳費情況: | |
| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及一套X射線光刻對準標記圖形，包括X射線掩模上用于對準的被指定測量圖形和半導體基片上用于對準的被指定測量圖形。本發(fā)明通過采用多線坐標值平均的方法來降低X射線掩模對準標記圖形、半導體基片對準標記圖形的定位和識別誤差，降低X射線光刻的對準誤差，提高X射線光刻的對準精度。 |
| 其它備注: | |
科研產出