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專利名稱: 一種高密度等離子體工藝裝置
專利類別:
申請?zhí)?/strong>: 95209870.9
申請日期: 1995-05-11
專利號: CN2249451
第一發(fā)明人: 劉訓(xùn)春 葉甜春 李曉民 王守武 錢鶴 徐維江 曹振亞 張學(xué)
其它發(fā)明人:
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權(quán)日期:
繳費(fèi)情況:
實(shí)施情況:
專利證書號:
專利摘要: 本實(shí)用新型公開了一種由低壓氣體腔的腔座、絕緣罩以及射頻線圈等部分組成,用于半導(dǎo)體精細(xì)加工的高密度等離子體工藝裝置。該裝置采用多階層的塔狀絕緣罩體,并使連續(xù)連接的一組多匝射頻線圈按上下順序圍繞在塔狀罩體的各階層外壁上,其頂層與最下層線圈的線端經(jīng)匹配電路與一射頻電源相連。這樣的裝置能在更低氣壓范圍內(nèi)穩(wěn)定地產(chǎn)生高密度等離子體。
其它備注: