| 專利名稱: | 用于193nm光學光刻的側墻鉻衰減型移相掩模制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200610003068.0 |
| 申請日期: | 2006-02-08 |
| 專利號: | CN101017322 |
| 第一發(fā)明人: | 謝常青 劉 明 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權日期: | |
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| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 一種用于193nm光學光刻的側墻鉻衰減型移相掩模制作方法，其工藝 步驟如下：1.在熔石英襯基表面上淀積衰減型移相層薄膜；2.在衰減 型移相層薄膜表面上甩電子束光刻膠，并進行電子束光刻、顯影；3.各 向異性刻蝕衰減型移相層薄膜；4.去除電子束光刻膠；5.在衰減型移 相層薄膜表面上大面積淀積吸收體材料鉻；6.各向同性刻蝕吸收體材料 鉻；7.清洗；8.特征尺寸及相對定位測量；9.缺陷檢測與修補；10. 衰減型移相器檢測；11.安裝表面粘貼膜，完成側墻鉻衰減型移相掩模 的制作。 |
| 其它備注: | |
科研產出