| 專利名稱: | 在磷化銦InP基片上形成通孔的方法及半導體光電器件 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200610003070.8 |
| 申請日期: | 2006-02-08 |
| 專利號: | CN101017779 |
| 第一發(fā)明人: | 李寶霞 吳德馨 楊成樾 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及半導體材料加工技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種在InP基片中濕 法刻蝕孔或通孔的方法。方法包括利用電化學腐蝕的方法先在通孔位置 電化學腐蝕出穿透InP基片電流微孔，微孔腔與InP基片表面垂直，再 采用常規(guī)化學腐蝕液進行通孔刻蝕；電化學腐蝕形成的與通孔方向一致 多孔的InP。另外，提供了這種通孔的金屬化填充方法。半導體光電器件， 包括：基片、光電器件有源區(qū)外延層、金屬化填充的導電通孔、背電極 金屬層、正電極、焊接凸點、以及器件鈍化保護層，在掩膜層上采用常 規(guī)光刻工藝光刻出通孔開口圖形，通孔形成在磷化銦InP襯底上，該半 導體光電器件結(jié)構(gòu)具有一正表面和一基本與其相對的背表面，光電器件 采用倒扣封裝模式。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出