| 專利名稱: | 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管T型發(fā)射極金屬圖形制作方法的改進 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200610003066.1 |
| 申請日期: | 2006-02-08 |
| 專利號: | CN101017781 |
| 第一發(fā)明人: | 蘇樹兵 劉訓春 于進勇 劉新宇 王潤梅 鄭英奎 魏 珂 汪 寧 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及半導體器件及集成電路制造工藝中化合物半導體異質(zhì)結(jié)雙 極晶體管的發(fā)射極/基極金屬圖形自對準的制作方法。采用包括等離子體 輔助化學氣相沉積、光刻機、刻蝕機、金屬蒸發(fā)設備和浸泡剝離設備， 其特點是先在化合物半導體外延片的表面淀積SiO2/Si3N4兩層介質(zhì)層， 再在其上涂負性光刻膠；然后在負性光刻膠上光刻出發(fā)射極窗口圖形， 再用反應離子刻蝕或感應耦合等離子體刻蝕設備將發(fā)射極窗口圖形處的 介質(zhì)層刻蝕掉，然后用等離子體刻蝕將負性光刻膠窗口適當擴大，繼而 通過蒸發(fā)制備發(fā)射極所需金屬，再經(jīng)浸泡剝離，從而獲得T型發(fā)射極金 屬圖形。適用于多種金屬實現(xiàn)發(fā)射極/基極金屬圖形自對準，使發(fā)射區(qū)和 基區(qū)面積大為縮小。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出