| 專利名稱: | 基于硅襯底無犧牲層的非制冷紅外焦平面陣列的制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200610066888.4 |
| 申請日期: | 2006-03-31 |
| 專利號: | CN101047149 |
| 第一發(fā)明人: | 石莎莉 陳大鵬 景玉鵬 毆 毅 董立軍 葉甜春 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 一種基于硅襯底無犧牲層的非制冷紅外焦平面陣列，其與反光板 連接的懸臂梁固支在利用各向同性腐蝕出的近似楔型硅柱上，其陣列中 單元結(jié)構(gòu)分為獨(dú)立式和嵌套式。該非制冷紅外焦平面陣列器件的工藝步 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出