| 專利名稱: | 一種納米級交叉線陣列結(jié)構(gòu)有機(jī)分子器件的制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200610012051.1 |
| 申請日期: | 2006-05-31 |
| 專利號: | CN101083301 |
| 第一發(fā)明人: | 商立偉 涂德鈺 王叢舜 劉 明 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明屬于微電子學(xué)與分子電子學(xué)中的微細(xì)加工領(lǐng)域，特別是一種 納米級交叉線陣列結(jié)構(gòu)有機(jī)分子器件的制備方法。其步驟如下：1.在 基片表面上淀積絕緣層薄膜；2.在絕緣層薄膜表面上旋涂電子束抗蝕劑， 電子束曝光、顯影得到下電極圖形；3.蒸發(fā)制備下電極金屬；4.金屬 剝離得到交叉線下電極；5.在下電極上覆蓋生長有機(jī)分子薄膜；6.在 有機(jī)分子薄膜上蒸發(fā)制備金屬保護(hù)層；7.在保護(hù)層上面旋涂雙層光刻膠， 電子束曝光、顯影得到上電極圖形；8.斜向蒸發(fā)制備上電極金屬薄膜； 9.金屬剝離得到交叉線上電極；10.干法刻蝕保護(hù)層，完成交叉線有機(jī) 分子器件的制備。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出