| 專利名稱: | 一種射頻單電子晶體管位移傳感器的設(shè)計(jì)方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200610083996.2 |
| 申請(qǐng)日期: | 2006-06-16 |
| 專利號(hào): | CN101089545 |
| 第一發(fā)明人: | 王 琴 王叢舜 龍世兵 劉 明 葉甜春 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及量子信息技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種射頻單電子晶體管位移 傳感器的設(shè)計(jì)方法。在SOI襯底上制作雙端固支梁和單電子晶體管，利 用納米尺度的雙端固支梁作為敏感組件，再用射頻單電子晶體管作為傳 感組件，形成快速超靈敏位移傳感器。充分利用射頻單電子晶體管的高 靈敏度的特性(電荷靈敏度可達(dá)10-5eHz-1/2)，形成快速超靈敏位移傳感 器。這種基于SOI襯底材料的快速超靈敏位移傳感器具有極高的位移靈 敏度，可達(dá)10-5nm，同時(shí)也具有很高的工作頻率，可達(dá)幾百M(fèi)Hz。這種快 速超靈敏位移傳感器可為量子測(cè)量提供一種有效的解決方法，可為量子 信息技術(shù)的發(fā)展作出貢獻(xiàn)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出