| 專利名稱: | 柵體通過反偏肖特基結(jié)連接SOI動態(tài)閾值晶體管的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200610083997.7 |
| 申請日期: | 2006-06-16 |
| 專利號: | CN101090122 |
| 第一發(fā)明人: | 畢津順 海潮和 韓鄭生 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是柵體通過反偏肖特基結(jié)連 接SOI動態(tài)閾值晶體管的方法。包括：SOI襯底(3)；形成在SOI頂層硅 膜(1)內(nèi)的晶體管，其中所述晶體管包括柵電極(55)，柵氧化層(51)， 漏電極(52)，源電極(53)(源漏可以互換)和體區(qū)(54)；連接到晶體 管柵電極(55)和體區(qū)(54)之間的反偏肖特基結(jié)(50)；用金屬(02)將柵電 極(55)和體引出部分(10)電學(xué)相連；以及器件之間必要的電學(xué)隔離。 本發(fā)明的晶體管適用于低壓低功耗高速集成電路領(lǐng)域。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出