| 專利名稱: | 一種硅基平面?zhèn)葨艈坞娮泳w管及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200610012246.6 |
| 申請日期: | 2006-06-14 |
| 專利號: | CN101090134 |
| 第一發(fā)明人: | 龍世兵 陳杰智 李志剛 劉 明 陳寶欽 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種硅基平面?zhèn)葨艈坞娮泳w管，包括：庫侖島，位于 庫侖島兩側(cè)的源和漏，連接庫侖島與源和漏的兩個隧道結(jié)，位于庫侖島兩 側(cè)且垂直于源和漏所在方向上的兩個側(cè)柵，源上沉積的源電極，漏上沉積 的漏電極，以及側(cè)柵上沉積的柵電極。本發(fā)明同時公開了一種硅基平面?zhèn)?br/>柵單電子晶體管的制作方法。利用本發(fā)明，大大提高了單電子晶體管的可 靠性及與傳統(tǒng)CMOS工藝的兼容性，并簡化了制作工藝，降低了制作成本， 提高了制作效率，非常有利于本發(fā)明的廣泛推廣和應(yīng)用。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出