| 專利名稱: | 一種高遷移率各向異性有機場效應管的制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200610083998.1 |
| 申請日期: | 2006-06-16 |
| 專利號: | CN101090148 |
| 第一發(fā)明人: | 王叢舜 商立偉 涂德鈺 劉 明 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及有機半導體器件領(lǐng)域，一種結(jié)合干法刻蝕技術(shù)的制備 圖形化襯底高遷移率各向異性有機場效應管的方法，首先沉積生長第一 層有機半導體薄膜，然后通過氧氣等離子體干法刻蝕技術(shù)把設(shè)計好的圖 形轉(zhuǎn)移到第一層有機薄膜表面上，再沉積生長第二層有機半導體薄膜。 其步驟如下：1.在導電基底上制備絕緣介質(zhì)層；2.在絕緣介質(zhì)層薄膜 表面上沉積生長第一層有機半導體薄膜；3.利用鏤空模板采用氧氣等離 子體干法刻蝕有機薄膜，把設(shè)計的模板圖形轉(zhuǎn)移到第一層有機薄膜上；4. 沉積生長第二層同質(zhì)有機物薄膜；5.通過鏤空的掩模版沉積源漏金屬電 極，完成各向異性有機場效應管的制備。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出