專利名稱: | 磷化銦異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管自對(duì)準(zhǔn)發(fā)射極的制作方法 |
專利類別: | |
申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200610089346.9 |
申請(qǐng)日期: | 2006-06-21 |
專利號(hào): | CN101093803 |
第一發(fā)明人: | 于進(jìn)勇 劉新宇 夏 洋 |
其它發(fā)明人: | |
國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
專利授權(quán)日期: | |
繳費(fèi)情況: | |
實(shí)施情況: | |
專利證書號(hào): | |
專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種InP HBT自對(duì)準(zhǔn)發(fā)射極的制作方法,包括:A.在 InP HBT外延層結(jié)構(gòu)表面涂敷負(fù)性光刻膠,對(duì)涂敷的負(fù)性光刻膠進(jìn)行曝光、 反轉(zhuǎn)、顯影處理,形成發(fā)射極窗口圖形;B.在InP HBT外延層結(jié)構(gòu)表面 蒸發(fā)/濺射發(fā)射極材料;C.將負(fù)性光刻膠及其上方沉積的發(fā)射極材料從InP HBT外延層結(jié)構(gòu)表面剝離,形成發(fā)射極;D.以形成的發(fā)射極為掩模,腐 蝕InP HBT外延層結(jié)構(gòu)的蓋帽層和發(fā)射極層,形成發(fā)射極臺(tái)面;E.在InP HBT外延層結(jié)構(gòu)表面涂敷正性光刻膠,對(duì)涂敷的正性光刻膠進(jìn)行曝光、顯 影處理,形成基極窗口圖形;F.在InP HBT外延層結(jié)構(gòu)表面蒸發(fā)/濺射一 層金屬電極材料;G.將正性光刻膠及其上方沉積的金屬電極材料從InP HBT外延層結(jié)構(gòu)表面剝離。 |
其它備注: | |
科研產(chǎn)出