| 專利名稱: | 一種金屬納米晶薄膜的制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200610109562.5 |
| 申請日期: | 2006-08-10 |
| 專利號: | CN101122006 |
| 第一發(fā)明人: | 龍世兵 李志剛 劉 明 陳寶欽 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利授權日期: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種金屬納米晶薄膜的制備方法，該方法包括：A.在 絕緣襯底上淀積一層金屬薄膜；B.在惰性氣體中高溫快速退火，形成分 離的金屬納米晶薄膜。利用本發(fā)明制備的金屬納米晶薄膜，具有很好的電 荷俘獲和存儲特性，能夠與傳統(tǒng)的硅平面工藝兼容，非常適合于適于制作 高性能的半導體存儲器件。利用本發(fā)明提供的制備金屬納米晶薄膜的方 法，大大簡化了制備工藝，降低了制備成本，提高了工藝穩(wěn)定性和制備效 率，非常有利于本發(fā)明的廣泛推廣和應用。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出