| 專利名稱: | 一種硅基側(cè)柵單電子晶體管及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200610109561.0 |
| 申請日期: | 2006-08-10 |
| 專利號(hào): | CN101123272 |
| 第一發(fā)明人: | 龍世兵 王 琴 李志剛 劉 明 陳寶欽 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種硅基側(cè)柵單電子晶體管，該單電子晶體管包括：庫 侖島、位于庫侖島兩側(cè)的源和漏、連接庫侖島與源的隧道結(jié)、連接庫侖島 與漏的隧道結(jié)、位于庫侖島側(cè)面的柵介質(zhì)和側(cè)柵、源上沉積的源電極、漏 上沉積的漏電極、以及側(cè)柵上沉積的側(cè)柵電極。本發(fā)明同時(shí)公開了一種硅 基側(cè)柵單電子晶體管的制作方法。利用本發(fā)明，提高了單電子晶體管的可 靠性及與傳統(tǒng)CMOS工藝的兼容性，簡化了制作工藝，降低了制作成本， 提高了制作效率。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出