| 專利名稱: | 一種SOI基頂柵單電子晶體管及其制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200610109563.X |
| 申請(qǐng)日期: | 2006-08-10 |
| 專利號(hào): | CN101123273 |
| 第一發(fā)明人: | 龍世兵 王 琴 陳杰智 劉 明 陳寶欽 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請(qǐng)日期: | |
| 國外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種絕緣體上硅SOI基頂柵單電子晶體管，該單電子晶 體管包括：庫侖島、位于庫侖島兩側(cè)的源和漏、連接庫侖島與源的隧道結(jié)、 連接庫侖島與漏的隧道結(jié)、位于庫侖島上面的柵介質(zhì)和多晶硅柵、源上沉 積的源電極、漏上沉積的漏電極、以及頂柵上沉積的頂柵柵電極。本發(fā)明 同時(shí)公開了一種SOI基頂柵單電子晶體管的制作方法。利用本發(fā)明，大大 提高了單電子晶體管的可靠性及與傳統(tǒng)CMOS工藝的兼容性，簡(jiǎn)化了制作 工藝，降低了制作成本，提高了工藝穩(wěn)定性和制作效率，非常有利于本發(fā) 明的廣泛推廣和應(yīng)用。另外，本發(fā)明非常適合于制作單電子晶體管，能夠 獲得較高的操作溫度，同時(shí)對(duì)高速操作也非常有利。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出