| 專利名稱: | 一種SOI基頂柵單電子晶體管及其制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200610112107.0 |
| 申請日期: | 2006-08-09 |
| 專利號: | CN101123274 |
| 第一發(fā)明人: | 龍世兵 陳杰智 劉 明 陳寶欽 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種絕緣體上硅SOI基頂柵單電子晶體管，該單電子晶 體管包括：庫侖島、位于庫侖島兩側(cè)的源和漏、連接庫侖島與源和漏的兩 個(gè)隧道結(jié)、位于庫侖島上面的柵介質(zhì)和多晶硅柵、源上沉積的源電極、漏 上沉積的漏電極、以及頂柵上沉積的頂柵柵電極。本發(fā)明同時(shí)公開了一種 SOI基頂柵單電子晶體管的制備方法。利用本發(fā)明，大大提高了單電子晶 體管的可靠性及與傳統(tǒng)CMOS工藝的兼容性，簡化了制備工藝、降低了制 備成本，并提高了制備效率。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出