| 專利名稱: | 一種砷化鎵單片微波集成電路功率放大器熱沉的制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200610112408.3 |
| 申請(qǐng)日期: | 2006-08-16 |
| 專利號(hào): | CN101127309 |
| 第一發(fā)明人: | 朱 旻 張海英 劉訓(xùn)春 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種GaAs MMIC功率放大器熱沉的制作方法，該方法 包括：A、制作與芯片尺寸相合的陶瓷基片及鉬材料基片；B、在制作的 陶瓷基片的上下表面之間打孔；C、在打孔的陶瓷基片的上下表面及孔的 內(nèi)壁鍍金；D、將鍍金后的陶瓷基片上表面與鉬材料基片的下表面粘合；E、 將芯片與鉬材料基片的上表面粘合；F、將陶瓷基片的下表面與腔體粘合， 完成熱沉的制作。利用本發(fā)明，由于使用了陶瓷基片與鉬材料基片，通過 兩種材料的不同熱膨脹特性，避免了在陶瓷基片上直接粘合芯片易發(fā)生斷 裂的現(xiàn)象，解決了GaAs芯片熱傳導(dǎo)性能差，熱耗散不能及時(shí)而導(dǎo)致芯片 單管燒毀的問題，進(jìn)而解決了GaAs芯片粘結(jié)斷裂現(xiàn)象，提高了芯片的可 靠性。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出