專利名稱: | 一種制備低柵擴展電容絕緣體上硅體接觸器件的方法 |
專利類別: | |
申請?zhí)?/strong>: | 200610112701.X |
申請日期: | 2006-08-30 |
專利號: | CN101136337 |
第一發(fā)明人: | 畢津順 海潮和 |
其它發(fā)明人: | |
國外申請日期: | |
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專利授權(quán)日期: | |
繳費情況: | |
實施情況: | |
專利證書號: | |
專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種制備低柵擴展電容SOI體接觸器件的方法,包括: A.在SOI頂層硅上生長并剝離一層犧牲氧化層,進行N場注入和P場注 入,對得到的器件進行電學(xué)隔離;B.在電學(xué)隔離后的器件表面熱生長一 層二氧化硅,注入雜質(zhì),穿透熱生長的二氧化硅層,調(diào)節(jié)閾值電壓;C. 在熱生長的二氧化硅層上化學(xué)氣相淀積一層二氧化硅,增加一層?xùn)艛U展光 刻版,以光刻膠為掩膜,對熱生長及淀積的二氧化硅進行刻蝕;D.去膠, 然后低溫?zé)嵘L一層高質(zhì)量柵氧化層,化學(xué)氣相淀積一層多晶硅,對淀積 的多晶硅進行離子注入;E.退火,利用柵版光刻版對多晶硅進行刻蝕并 去膠。利用本發(fā)明,減小了SOI體接觸器件的柵擴展電容,提高了電路的 工作速度,降低了電路的功耗。 |
其它備注: | |
科研產(chǎn)出