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專利名稱: 一種制備低柵擴展電容絕緣體上硅體接觸器件的方法
專利類別:
申請?zhí)?/strong>: 200610112701.X
申請日期: 2006-08-30
專利號: CN101136337
第一發(fā)明人: 畢津順 海潮和
其它發(fā)明人:
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權(quán)日期:
繳費情況:
實施情況:
專利證書號:
專利摘要: 本發(fā)明公開了一種制備低柵擴展電容SOI體接觸器件的方法,包括:
A.在SOI頂層硅上生長并剝離一層犧牲氧化層,進行N場注入和P場注
入,對得到的器件進行電學(xué)隔離;B.在電學(xué)隔離后的器件表面熱生長一
層二氧化硅,注入雜質(zhì),穿透熱生長的二氧化硅層,調(diào)節(jié)閾值電壓;C.
在熱生長的二氧化硅層上化學(xué)氣相淀積一層二氧化硅,增加一層?xùn)艛U展光
刻版,以光刻膠為掩膜,對熱生長及淀積的二氧化硅進行刻蝕;D.去膠,
然后低溫?zé)嵘L一層高質(zhì)量柵氧化層,化學(xué)氣相淀積一層多晶硅,對淀積
的多晶硅進行離子注入;E.退火,利用柵版光刻版對多晶硅進行刻蝕并
去膠。利用本發(fā)明,減小了SOI體接觸器件的柵擴展電容,提高了電路的
工作速度,降低了電路的功耗。
其它備注: