專利名稱: | 一種非制冷紅外焦平面陣列探測器及其制作方法 |
專利類別: | |
申請?zhí)?/strong>: | 200610112884.5 |
申請日期: | 2006-09-06 |
專利號: | CN101140185 |
第一發(fā)明人: | 陳大鵬 葉甜春 歐 毅 董立軍 劉 輝 胥興才 韓敬東 李超波 焦彬彬 黃慶文 石莎莉 伍小平 張青川 董鳳良 熊慎明 |
其它發(fā)明人: | |
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專利授權(quán)日期: | |
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實施情況: | |
專利證書號: | |
專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種非制冷紅外焦平面陣列探測器,包括:由雙層氮化 硅SiNx薄膜分別形成的支撐結(jié)構(gòu)和微反射鏡結(jié)構(gòu),支撐結(jié)構(gòu)同時也作為紅 外輻射吸收層,用于吸收紅外輻射;微反射鏡結(jié)構(gòu)用于與支撐結(jié)構(gòu)形成紅 外吸收共振腔,吸收紅外輻射,提高支撐結(jié)構(gòu)對于紅外輻射的吸收效率, 同時還作為光學(xué)讀出的反射鏡;所述支撐結(jié)構(gòu)和微反射鏡結(jié)構(gòu)通過SiNx 材料連接。本發(fā)明同時公開了一種非制冷紅外焦平面陣列探測器的制作方 法。利用本發(fā)明,由于支撐結(jié)構(gòu)同時充當紅外輻射吸收層,微反射鏡結(jié)構(gòu) 背面金屬可以反射紅外輻射,所以大大提高支撐膜對于紅外輻射的吸收效 率和填充因子。另外,本發(fā)明還提高了系統(tǒng)探測極限靈敏度。 |
其它備注: | |
科研產(chǎn)出