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專利名稱: 一種非制冷紅外焦平面陣列探測器及其制作方法
專利類別:
申請?zhí)?/strong>: 200610112884.5
申請日期: 2006-09-06
專利號: CN101140185
第一發(fā)明人: 陳大鵬 葉甜春 歐 毅 董立軍 劉 輝 胥興才 韓敬東 李超波 焦彬彬 黃慶文 石莎莉 伍小平 張青川 董鳳良 熊慎明
其它發(fā)明人:
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權(quán)日期:
繳費情況:
實施情況:
專利證書號:
專利摘要: 本發(fā)明公開了一種非制冷紅外焦平面陣列探測器,包括:由雙層氮化
硅SiNx薄膜分別形成的支撐結(jié)構(gòu)和微反射鏡結(jié)構(gòu),支撐結(jié)構(gòu)同時也作為紅
外輻射吸收層,用于吸收紅外輻射;微反射鏡結(jié)構(gòu)用于與支撐結(jié)構(gòu)形成紅
外吸收共振腔,吸收紅外輻射,提高支撐結(jié)構(gòu)對于紅外輻射的吸收效率,
同時還作為光學(xué)讀出的反射鏡;所述支撐結(jié)構(gòu)和微反射鏡結(jié)構(gòu)通過SiNx
材料連接。本發(fā)明同時公開了一種非制冷紅外焦平面陣列探測器的制作方
法。利用本發(fā)明,由于支撐結(jié)構(gòu)同時充當紅外輻射吸收層,微反射鏡結(jié)構(gòu)
背面金屬可以反射紅外輻射,所以大大提高支撐膜對于紅外輻射的吸收效
率和填充因子。另外,本發(fā)明還提高了系統(tǒng)探測極限靈敏度。
其它備注: