| 專利名稱: | 一種砷化鎵PIN二極管及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200610112885.X |
| 申請日期: | 2006-09-06 |
| 專利號: | CN101140955 |
| 第一發(fā)明人: | 楊 浩 張海英 吳茹菲 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種GaAs PIN二極管，該GaAs PIN二極管包括：用于 支撐整個GaAs PIN二極管的半絕緣GaAs襯底；在半絕緣GaAs襯底上外 延生長的高摻雜N+層，在高摻雜N+層上依次外延生長的接近本征的高阻 I層和P+層；通過采用濕法刻蝕，所述高摻雜N+層、高阻I層和P+層的面 積依次減小形成臺面結構；在P+層上蒸發(fā)金屬形成的圓形結構上電極；在 N+層上蒸發(fā)金屬形成的半環(huán)形結構下電極。本發(fā)明同時公開了一種GaAs PIN二極管的制作方法。利用本發(fā)明，不增加工藝難度的前提下有效降低 了PIN二極管的寄生電容，同時，連接上電極的微帶線大大縮短，由其引 入的寄生電感可以大幅減小，甚至可以忽略，無需使用空氣橋工藝，制作 簡便，能夠獲得更好的高頻特性，且易于實現(xiàn)單片集成。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出