| 專利名稱: | 一種氮化鎵基場效應(yīng)管及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200610127867.9 |
| 申請日期: | 2006-09-22 |
| 專利號: | CN101150144 |
| 第一發(fā)明人: | 劉新宇 劉果果 鄭英奎 李誠瞻 劉 鍵 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種GaN基場效應(yīng)管，該GaN基場效應(yīng)管包括：柵極， 位于柵極兩側(cè)的源極和漏極；其中，柵極、源極和漏極位于襯底材料頂層 AlGaN外延層上，源極與AlGaN外延層以及漏極與AlGaN外延層之間通 過退火合金形成歐姆接觸；在源極和漏極之間的AlGaN外延層上通過刻 蝕形成有細的柵槽，在源極和漏極之間的AlGaN外延層及柵槽上淀積有 AlN或Al2O3薄膜，所述柵極通過光刻和蒸發(fā)形成在柵槽上淀積的AlN或 Al2O3薄膜上。本發(fā)明同時公開了一種GaN基場效應(yīng)管的制作方法。利用 本發(fā)明，有效地解決了AlGaN表面態(tài)存在導致器件產(chǎn)生電流崩塌以及柵 反向漏電增大的問題。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出