| 專利名稱: | 一種源體歐姆接觸絕緣體上硅晶體管的制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200610113722.3 |
| 申請日期: | 2006-10-13 |
| 專利號: | CN101162696 |
| 第一發(fā)明人: | 畢津順 海潮和 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種源體歐姆接觸SOI晶體管的制作方法，該方法包 括：A.在源體歐姆接觸SOI晶體管版圖中，增加一層源漏大劑量雜質(zhì)反 注入光刻版；B.以源漏大劑量雜質(zhì)注入光刻版的反版為掩膜進(jìn)行源漏大 劑量雜質(zhì)注入；C.以增加的源漏大劑量雜質(zhì)反注入光刻版的反版為掩膜 進(jìn)行源漏大劑量雜質(zhì)反注入，引出柵區(qū)下面的體區(qū)；D.濺射鈦層，退火 生成源漏硅化物，形成源體歐姆接觸SOI晶體管。利用本發(fā)明，消除通常 部分耗盡SOI浮體器件中存在的邊緣漏電現(xiàn)象和浮體效應(yīng)。本發(fā)明與互補(bǔ) 金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(CMOS)工藝完全兼容，適用于低 壓、低功耗、高可靠性集成電路領(lǐng)域，可以用于商業(yè)化生產(chǎn)。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出