| 專利名稱: | 一種納米尺度W/TiN復(fù)合難熔金屬柵制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710063203.5 |
| 申請日期: | 2007-01-04 |
| 專利號: | CN101217112 |
| 第一發(fā)明人: | 徐秋霞 李瑞釗 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 一種納米尺度W/TiN復(fù)合難熔金屬柵制備方法，步驟如下：在器件源/ 漏區(qū)鈷硅化物形成后進行平坦化工藝，腐蝕柵槽和漂去替代柵氧化硅，再 柵氧化；真空熱退火處理；濺射難熔金屬TiN，厚度25-45nm；濺射W薄 膜，厚度為90-110nm；用丙酮、無水乙醇各超聲清洗，去離子水沖洗，熱 N2中甩干；光刻W/TiN T型柵；反應(yīng)離子刻蝕W/TiN T型柵，刻蝕氣體為 Cl2和SF6；等離子增強化學汽相沉積SiO2，SiO2厚度500-700nm；接觸孔 形成；金屬化退火。本發(fā)明解決了常規(guī)多晶硅柵存在的柵電阻過高、PMOS 器件硼穿透嚴重、多晶硅柵耗盡及與高K柵介質(zhì)不兼容等一系列嚴重問題， 從而獲得優(yōu)良的器件特性。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出