| 專利名稱: | 雙柵全耗盡SOI CMOS器件及其制備方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710063371.4 |
| 申請日期: | 2007-01-10 |
| 專利號: | CN101221957 |
| 第一發(fā)明人: | 海潮和 畢津順 孫海峰 韓鄭生 趙立新 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路及其制造技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種雙柵全耗 盡SOI CMOS器件，該器件包括硅襯底、埋氧層和形成在頂層硅膜中的n 型溝道場效應(yīng)晶體管、p型溝道場效應(yīng)晶體管及器件介質(zhì)隔離。本發(fā)明同 時公開了一種制備雙柵全耗盡SOI CMOS器件的方法。利用本發(fā)明，提高 了源漏擊穿電壓和溝道區(qū)載流子遷移率，降低了工藝復(fù)雜程度和器件性能 的波動。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出