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專利名稱: 實(shí)空間轉(zhuǎn)移高電子遷移率場(chǎng)效應(yīng)晶體管材料
專利類別:
申請(qǐng)?zhí)?/strong>: 200710063372.9
申請(qǐng)日期: 2007-01-10
專利號(hào): CN101221983
第一發(fā)明人: 徐靜波 張海英 葉甜春 尹軍艦
其它發(fā)明人:
國(guó)外申請(qǐng)日期:
國(guó)外申請(qǐng)方式:
專利授權(quán)日期:
繳費(fèi)情況:
實(shí)施情況:
專利證書號(hào):
專利摘要: 本發(fā)明涉及化合物半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種實(shí)空間轉(zhuǎn)移高電
子遷移率場(chǎng)效應(yīng)晶體管材料，該實(shí)空間轉(zhuǎn)移高電子遷移率場(chǎng)效應(yīng)晶體管材
料由在GaAs襯底上依次外延生長(zhǎng)GaAs緩沖層、Al0.22Ga0.78As下勢(shì)壘層、
In0.2Ga0.8As溝道層、GaAs空間隔離層、In0.485Ga0.515P空間隔離層、平面摻
雜層、In0.485Ga0.515P勢(shì)壘層以及高摻雜GaAs蓋帽層構(gòu)成。利用本發(fā)明，
實(shí)現(xiàn)了載流子在實(shí)空間內(nèi)轉(zhuǎn)移，更容易使電子由溝道轉(zhuǎn)移到空間隔離層、
平面摻雜層和蓋帽層，達(dá)到了具有穩(wěn)定的負(fù)微分電阻特性的實(shí)空間轉(zhuǎn)移三
端器件的目的。
其它備注: