| 專利名稱: | 高速砷化鎵基復(fù)合溝道應(yīng)變高電子遷移率晶體管材料 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710063375.2 |
| 申請日期: | 2007-01-10 |
| 專利號: | CN101221984 |
| 第一發(fā)明人: | 徐靜波 張海英 葉甜春 尹軍艦 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及化合物半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種高速砷化鎵基復(fù) 合溝道MHEMT材料，該MHEMT材料由在GaAs襯底上依次外延生長的 晶格應(yīng)變層InxAl1-xAs、溝道下勢壘層In0.52Al0.48As、溝道層摻雜InP、溝 道層不摻雜InP、溝道層In0.53Ga0.47As、空間隔離層In0.52Al0.48As、平面摻 雜層、勢壘層In0.52Al0.48As和高摻雜蓋帽層In0.53Ga0.47As構(gòu)成。利用本發(fā) 明，結(jié)合了In0.53Ga0.47As的低場高電子遷移率和高場下InP有高閾值能量 以及高飽和速率的特性，解決了常規(guī)MHEMT器件源漏擊穿電壓低的缺 點，達到了既提高源漏擊穿電壓，又保證器件具有優(yōu)越的毫米波頻率特性 的目的。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出