| 專利名稱: | 一種實現(xiàn)部分耗盡絕緣體上硅器件體接觸的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710062981.2 |
| 申請日期: | 2007-01-24 |
| 專利號: | CN101231956 |
| 第一發(fā)明人: | 王立新 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費情況: | |
| 實施情況: | |
| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)中SOI器件體接觸技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種實現(xiàn) 部分耗盡SOI器件體接觸的方法，包括：A.在形成多晶硅柵之后，在源 極一側(cè)進行體引出注入；B.對源漏端進行LDS和LDD注入，在形成一 次氧化物側(cè)墻后，進行源漏區(qū)的N+注入，在源漏區(qū)都形成淺結(jié)；C.用光 刻膠把源區(qū)保護后，對漏區(qū)進行第二次N+注入，以使漏端結(jié)區(qū)到達埋氧 層，形成源漏不對稱的結(jié)構(gòu)；D.利用鈷的硅化物，在源極一側(cè)的鈷硅化 物穿透源極到達下面的體區(qū)，鉗制體區(qū)電位，抑制浮體效應(yīng)。利用本發(fā)明， 不但有效的抑制了浮體效應(yīng)，提高了部分耗盡SOI器件性能，而且與標準 互補金屬氧化物半導(dǎo)體工藝兼容，具有工藝簡單，成本低等優(yōu)點。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出