| 專利名稱: | 一種場效應(yīng)晶體管多層場板器件及其制作方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710062987.X |
| 申請日期: | 2007-01-24 |
| 專利號: | CN101232045 |
| 第一發(fā)明人: | 劉果果 劉新宇 鄭英奎 魏 珂 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料中微波功率器件技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種制作鋁 鎵氮/氮化鎵高電子遷移率場效應(yīng)晶體管(AlGaN/GaN HEMT)多層場板 器件的方法，該方法基于常規(guī)的AlGaN/GaN HEMT器件制作工藝，在形 成柵金屬接觸后，先制作柵連接場板，再制作源連接場板，形成AlGaN/GaN HEMT多層場板器件。本發(fā)明同時公開了一種AlGaN/GaN HEMT多層場 板器件。利用本發(fā)明，大大提高了AlGaN/GaN HEMT器件的擊穿特性， 并有效地抑制了AlGaN/GaN HEMT器件的電流崩塌現(xiàn)象。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出