| 專利名稱: | 基于多晶硅特性制作熱剪切應(yīng)力傳感器的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710064856.5 |
| 申請日期: | 2007-03-28 |
| 專利號: | CN101274738 |
| 第一發(fā)明人: | 易 亮 歐 毅 陳大鵬 景玉鵬 葉甜春 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及微機電技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種基于多晶硅特性制作熱剪切 應(yīng)力傳感器的方法，該方法包括：A、在硅片的正面和背面淀積氮化硅薄 膜；B、保護(hù)正面，對背面進(jìn)行光刻，刻蝕形成氮化硅薄膜窗口以及劃片 槽；C、在正面淀積多晶硅薄膜，進(jìn)行磷重?fù)诫s，光刻，打底膠，表面淀 積鉻薄膜，剝離，刻蝕形成多晶硅薄膜電阻條；D、在正面淀積一層氮化 硅薄膜，鈍化多晶硅；E、腐蝕背面體硅，形成腔體；F、正面光刻，打底 膠，表面淀積鉻薄膜，剝離，刻蝕形成接觸孔；G、正面光刻，電子束蒸 發(fā)金屬鋁Al，剝離，形成電極；H、背面與硼硅玻璃進(jìn)行陽極鍵合。利用 本發(fā)明，減少了熱量散失，簡化了工藝過程，大大提高了器件靈敏度。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出