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專利名稱: 一種抗水流沖擊的體硅腐蝕配套設(shè)備
專利類別:
申請(qǐng)?zhí)?/strong>: 200710064861.6
申請(qǐng)日期: 2007-03-28
專利號(hào): CN101274742
第一發(fā)明人: 石莎莉 陳大鵬 景玉鵬 歐 毅 葉甜春
其它發(fā)明人:
國(guó)外申請(qǐng)日期:
國(guó)外申請(qǐng)方式:
專利授權(quán)日期:
繳費(fèi)情況:
實(shí)施情況:
專利證書號(hào):
專利摘要: 本發(fā)明涉及一種抗水流沖擊的體硅腐蝕配套設(shè)備,尤指一種對(duì)MEMS
體硅腐蝕設(shè)備——恒溫腐蝕設(shè)備和恒溫加超聲腐蝕設(shè)備的缺陷加以改進(jìn)
的體硅腐蝕配套設(shè)備。本發(fā)明中,被固定的腐蝕槽的底部設(shè)有與具有開關(guān)
的導(dǎo)流管的一端連通的開口,導(dǎo)流管的另一端連接到腐蝕液容器,且放置
硅片的石英架固定在腐蝕槽的靠近敞口的位置;所述腐蝕槽的內(nèi)部空間呈
幾何對(duì)稱,且腐蝕槽的豎直對(duì)稱軸通過所述腐蝕槽底部開口的中心;所述
石英架上放置有硅片時(shí),硅片的中心對(duì)稱軸與所述腐蝕槽的豎直對(duì)稱軸
重合。本發(fā)明還可以在所述腐蝕槽中在硅片兩側(cè)對(duì)稱地設(shè)置有加熱器。由
此,在硅片兩側(cè)可以形成對(duì)稱的水流流速場(chǎng)和壓力場(chǎng),并可以避免對(duì)硅片
的不必要的熱沖擊。
其它備注: