| 專利名稱: | 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管閾值電壓的測試方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710064858.4 |
| 申請日期: | 2007-03-28 |
| 專利號: | CN101275983 |
| 第一發(fā)明人: | 海潮和 韓鄭生 周小茵 趙立新 李多力 李 晶 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請日期: | |
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| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管閾值電壓的測試方法，是在 SOI-CMOS電路的背襯底連接一地電位或電源電位。其中，測試NMOS 的閾值電壓時，背襯底連接地電位；測試PMOS的閾值電壓時，背襯底連 接負(fù)電源電位。測試NMOS的閾值電壓時，背襯底連接電源電位；測試 PMOS的閾值電壓時，背襯底連接地電位。本發(fā)明將SOI-CMOS電路的背 襯底固定在一定的電位，SOI電路中的N、PMOS器件的工作，是處于完 全不同的背柵偏置下。因此，單獨表征N、PMOS的閾值電壓的條件相應(yīng) 要改變，這樣才能正確認(rèn)識和控制閾值電壓以便保障SOI電路的正常工 作。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出