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專利名稱: 微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的制備方法
專利類別:
申請?zhí)?/strong>: 200710064865.4
申請日期: 2007-03-28
專利號: CN101276020
第一發(fā)明人: 歐 毅 陳大鵬 孫雨南 崔 芳 董立軍 劉 輝 韓勁東
其它發(fā)明人:
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權(quán)日期:
繳費(fèi)情況:
實(shí)施情況:
專利證書號:
專利摘要: 本發(fā)明公開了一種制備微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯片的方法,包
括:在第一片硅襯底的正面和背面生長氮化硅薄膜;光刻第一版上電極圖
形;蒸發(fā)鉻/金薄膜,超聲剝離后得到上電極圖形;光刻第二版上電極圖形;
將氮化硅薄膜刻透;在第一片硅襯底的背面第三版光刻出背面的腐蝕窗口
圖形;在腐蝕窗口圖形上涂光學(xué)光刻膠,將背面氮化硅薄膜刻透;將第一
片硅襯底置于氫氧化鉀溶液進(jìn)行腐蝕,去除上反射鏡下的多余部分的硅襯
底;在第二片硅襯底上光刻第四版下電極圖形;蒸發(fā)鉻/金薄膜,超聲剝離
后得到下電極圖形;將第一片和第二片硅襯底進(jìn)行對準(zhǔn)鍵和,劃片并焊接
引線。利用本發(fā)明,降低了制備成本,使微電子機(jī)械系統(tǒng)光學(xué)解復(fù)用器芯
片得以廣泛推廣和應(yīng)用。
其它備注: