| 專(zhuān)利名稱(chēng): | 一種靜電推拉式單晶硅梁射頻微機(jī)電系統(tǒng)開(kāi)關(guān) |
| 專(zhuān)利類(lèi)別: | |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710064879.6 |
| 申請(qǐng)日期: | 2007-03-28 |
| 專(zhuān)利號(hào): | CN101276708 |
| 第一發(fā)明人: | 劉茂哲 景玉鵬 陳大鵬 歐 毅 葉甜春 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專(zhuān)利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專(zhuān)利證書(shū)號(hào): | |
| 專(zhuān)利摘要: | 本發(fā)明涉及射頻微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種靜電推拉式單晶硅 梁射頻微機(jī)電系統(tǒng)開(kāi)關(guān)，包括開(kāi)關(guān)可動(dòng)部分和開(kāi)關(guān)不可動(dòng)部分；所述開(kāi)關(guān) 可動(dòng)部分由SOI的頂層單晶硅形成，在該開(kāi)關(guān)可動(dòng)部分兩端的上側(cè)面分別 有下電極和接觸點(diǎn)；所述開(kāi)關(guān)不可動(dòng)部分與SOI頂層單晶硅固定連接，在 開(kāi)關(guān)不可動(dòng)部分兩端的下側(cè)面與所述開(kāi)關(guān)可動(dòng)部分下電極對(duì)應(yīng)的位置有 上電極，在開(kāi)關(guān)不可動(dòng)部分兩端的下側(cè)面與所述開(kāi)關(guān)可動(dòng)部分接觸點(diǎn)對(duì)應(yīng) 的位置有傳輸線；通過(guò)分別給兩端的上電極和下電極之間加電壓，使上電 極與下電極形成推拉式結(jié)構(gòu)，進(jìn)而接觸或斷開(kāi)傳輸線與接觸點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān) 動(dòng)作。利用本發(fā)明，降低了驅(qū)動(dòng)電壓，增加了開(kāi)關(guān)的壽命，使RF MEMS 產(chǎn)品化成為可能。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出