| 專利名稱: | 采用一次電子束曝光制備晶體管T型納米柵的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710064853.1 |
| 申請日期: | 2007-03-28 |
| 專利號: | CN101276749 |
| 第一發(fā)明人: | 劉 亮 張海英 劉訓春 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種采用一次電子束曝光制備晶體管T型納米柵的方 法，該方法包括：A、在清洗干凈的外延片上勻一層易于實現(xiàn)去膠和剝離 的第一層電子束膠，然后前烘；B、在所述第一層電子束膠上勻第二層電 子束膠ZEP520A，然后前烘；C、在所述第二層電子束膠ZEP520A上勻 一層易于實現(xiàn)去膠和剝離的第三層電子束膠，然后前烘；D、在所述第三 層電子束膠上勻第四層電子束膠ZEP520A，然后前烘；E、進行柵版電子 束曝光；F、依次顯影第四層電子束膠ZEP520A，易于實現(xiàn)去膠和剝離的 第三層電子束膠，第二層電子束膠ZEP520A和易于實現(xiàn)去膠和剝離的第 一層電子束膠；G、腐蝕柵槽，蒸發(fā)柵金屬并剝離，形成晶體管T型納米 柵。利用本發(fā)明，可靠性強，工藝簡單，剝離和去膠容易。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出