專利名稱: | 一種晶體管T型納米柵的制作方法 |
專利類別: | |
申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200710064854.6 |
申請(qǐng)日期: | 2007-03-28 |
專利號(hào): | CN101276750 |
第一發(fā)明人: | 劉 亮 張海英 劉訓(xùn)春 |
其它發(fā)明人: | |
國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
專利授權(quán)日期: | |
繳費(fèi)情況: | |
實(shí)施情況: | |
專利證書號(hào): | |
專利摘要: | 本發(fā)明公開了一種晶體管T型納米柵的制作方法,該方法包括:A、 在清洗干凈的外延片上淀積一層氮化硅或二氧化硅介質(zhì);B、在所述氮化 硅或二氧化硅介質(zhì)上勻第一層電子束膠ZEP520A,然后前烘;C、在所述 第一層電子束膠ZEP520A上勻一層易于實(shí)現(xiàn)去膠和剝離的第二層電子束 膠,然后前烘;D、在所述第二層電子束膠上勻第三層電子束膠ZEP520A, 然后前烘;E、進(jìn)行柵版電子束曝光;F、依次顯影第三層電子束膠ZEP520A, 易于實(shí)現(xiàn)去膠和剝離的第二層電子束膠和第一層電子束膠ZEP520A;G、 等離子刻蝕所述氮化硅或二氧化硅介質(zhì);H、腐蝕柵槽,蒸發(fā)柵金屬并剝 離,形成晶體管T型納米柵。利用本發(fā)明,不存在套刻對(duì)準(zhǔn)問題,工藝簡(jiǎn) 單,容易制作出小尺寸的柵線條,可靠性強(qiáng)。 |
其它備注: | |
科研產(chǎn)出