| 專利名稱: | 一種改善絕緣體上硅電路靜電放電防護(hù)性能的方法 |
| 專利類別: | |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200710064870.5 |
| 申請日期: | 2007-03-28 |
| 專利號: | CN101276788 |
| 第一發(fā)明人: | 曾傳濱 李多力 李 晶 海潮和 韓鄭生 |
| 其它發(fā)明人: | |
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| 專利授權(quán)日期: | |
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| 專利證書號: | |
| 專利摘要: | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種改善SOI電路ESD防護(hù)性 能的方法，該方法采用在SOI電路的體區(qū)進(jìn)行ESD注入，改變SOI電路 的ESD擊穿電壓，并促進(jìn)ESD放電管之間以及ESD放電管內(nèi)部各柵條之 間在ESD電壓到來時同時開啟，同時通過擊穿時產(chǎn)生的電流抬升體區(qū)電 位，促進(jìn)寄生在MOS管里的BJT瀉放電流。利用本發(fā)明，解決了在SOI 電路中使用常規(guī)在接觸孔下注入方法所帶來的注入雜質(zhì)被漏端雜質(zhì)包住 或被漏/漏端下方的襯底形成的耗盡區(qū)包住的問題。本發(fā)明將注入移到體 區(qū)，一方面可以很好地降低擊穿電壓，另一方面電流能很好地導(dǎo)入到體區(qū)， 改善器件及整個電路的抗ESD能力。 |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出